制造商零件编号：STU13N60M2

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

系列：MDmesh II Plus

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 5.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：580pF @ 100V

功率 - 最大值：110W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB

供应商器件封装：IPAK （TO-251）

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