技术资料
制造商零件编号:STS4DNFS30
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
系列:STripFET?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):330pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
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