技术资料
制造商零件编号:STP4N80K5
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO-220AB
系列:SuperMESH5?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.5 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):175pF @ 100V
功率 - 最大值:60W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220
我们提供ST(ST意法半导体)全系列IC,包含ST意法半导体官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解STP4N80K5。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015