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技术资料
制造商零件编号:STN2NE10L
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
系列:STripFET?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.8A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):400 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):345pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装:SOT-223
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