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STL8N65M2-ST
  • 制造商:ST(ST意法半导体)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
  • 封装:原厂封装
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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  • 帮您全面了解STL8N65M2官方指导价、参数、批号、封装、技术资料
    技术资料

    制造商零件编号:STL8N65M2

    制造商:STMicroelectronics

    描述:MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV

    系列:*

    FET 类型:-

    FET 功能:-

    漏源极电压 (Vdss):-

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-

    功率 - 最大值:-

    安装类型:-

    封装/外壳:-

    供应商器件封装:-

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