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STL85N6F3-ST
  • 制造商:ST(ST意法半导体)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6
  • 封装:PowerFlat
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:STL85N6F3

    制造商:STMicroelectronics

    描述:MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6

    系列:STripFET?

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):60V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):85A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 8.5A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3400pF @ 25V

    功率 - 最大值:4W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-PowerVDFN

    供应商器件封装:PowerFlat(6x5)

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