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STL60N32N3LL-ST
  • 制造商:ST(ST意法半导体)
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT
  • 封装:PowerFlat
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:STL60N32N3LL

    制造商:STMicroelectronics

    描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT

    系列:STripFET?

    FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):32A,60A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.2 毫欧 @ 6.8A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.6nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):950pF @ 25V

    功率 - 最大值:23W, 50W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-PowerVDFN

    供应商器件封装:PowerFlat(5x6)

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