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STL42N65M5-ST
  • 制造商:ST(ST意法半导体)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV
  • 封装:PowerFlat
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:STL42N65M5

    制造商:STMicroelectronics

    描述:MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV

    系列:MDmesh V

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):650V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Ta),34A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):79 毫欧 @ 16.5A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):100nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4650pF @ 100V

    功率 - 最大值:3W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:4-PowerFlat HV

    供应商器件封装:PowerFlat (8x8) HV

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