制造商零件编号：STL18NM60N

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

系列：MDmesh II

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.1A（Ta），12A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：310 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：35nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1000pF @ 50V

功率 - 最大值：110W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-PowerFlat HV

供应商器件封装：PowerFlat （8x8） HV

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