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STI25NM60ND-ST
  • 制造商:ST(ST意法半导体)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
  • 封装:I2PAK
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:STI25NM60ND

    制造商:STMicroelectronics

    描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK

    系列:FDmesh? II

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):600V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):21A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):160 毫欧 @ 10.5A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2400pF @ 50V

    功率 - 最大值:160W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA

    供应商器件封装:I2PAK

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