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STGY80H65DFB-ST
  • 制造商:ST(ST意法半导体)
  • 应用:单路IGBT
  • 规格:IGBT 650V 120A 469W MAX247
  • 封装:MAX247
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:STGY80H65DFB

    制造商:STMicroelectronics

    描述:IGBT 650V 120A 469W MAX247

    系列:-

    IGBT 类型:沟道和场截止

    电压 - 集射极击穿(最大值):650V

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120A

    Current - Collector Pulsed (Icm):240A

    不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,80A

    功率 - 最大值:469W

    Switching Energy:2.1mJ (开), 1.5mJ (关)

    输入类型:标准

    Gate Charge:414nC

    25°C 时 Td(开/关)值:84ns/280ns

    Test Condition:400V, 80A, 10 欧姆, 15V

    反向恢复时间 (trr):85ns

    封装/外壳:TO-247-3

    安装类型:通孔

    供应商器件封装:MAX247

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