制造商零件编号：STGWT30H65FB

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 30A 260W TO3PL

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，30A

功率 - 最大值：260W

Switching Energy：151μJ （开）， 293μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：149nC

25°C 时 Td（开/关）值：37ns/146ns

Test Condition：400V, 30A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3P

我们提供ST(ST意法半导体)全系列IC，包含ST意法半导体官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解STGWT30H65FB。