技术资料
制造商零件编号:STGWT20H65FB
制造商:STMicroelectronics
描述:IGBT 650V 40A 168W TO3P
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A
Current - Collector Pulsed (Icm):80A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,20A
功率 - 最大值:168W
Switching Energy:77μJ(开),170μJ(关)
输入类型:标准
Gate Charge:120nC
25°C 时 Td(开/关)值:30ns/139ns
Test Condition:400V, 20A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-3P
我们提供ST(ST意法半导体)全系列IC,包含ST意法半导体官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解STGWT20H65FB。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015