技术资料
制造商零件编号:STGP10H60DF
制造商:STMicroelectronics
描述:IGBT 600V 20A 115W TO220
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A
Current - Collector Pulsed (Icm):40A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.95V @ 15V,10A
功率 - 最大值:115W
Switching Energy:83μJ (开), 140μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:57nC
25°C 时 Td(开/关)值:19.5ns/103ns
Test Condition:400V, 10A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):107ns
封装/外壳:TO-220-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
我们提供ST(ST意法半导体)全系列IC,包含ST意法半导体官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解STGP10H60DF。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015