制造商零件编号：STGFW20H65FB

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 40A 52W TO3PF

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40A

Current - Collector Pulsed (Icm)：80A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，20A

功率 - 最大值：52W

Switching Energy：77μJ（开），170μJ（关）

输入类型：标准

Gate Charge：120nC

25°C 时 Td（开/关）值：30ns/139ns

Test Condition：400V, 20A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-3PFM，SC-93-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3PF

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