技术资料
制造商零件编号:STGF19NC60KD
制造商:STMicroelectronics
描述:IGBT 600V 16A 32W TO220FP
系列:PowerMESH?
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):16A
Current - Collector Pulsed (Icm):75A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.75V @ 15V,12A
功率 - 最大值:32W
Switching Energy:165μJ (开), 255μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:55nC
25°C 时 Td(开/关)值:30ns/105ns
Test Condition:480V, 12A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):31ns
封装/外壳:TO-220-3 整包
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
我们提供ST(ST意法半导体)全系列IC,包含ST意法半导体官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解STGF19NC60KD。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015