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技术资料
制造商零件编号:STGB20NB32LZ
制造商:STMicroelectronics
描述:IGBT 375V 40A 150W I2PAK
系列:PowerMESH?
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):375V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A
Current - Collector Pulsed (Icm):80A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2V @ 4.5V,20A
功率 - 最大值:150W
Switching Energy:11.8mJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:51nC
25°C 时 Td(开/关)值:2.3μs/11.5μs
Test Condition:250V,20A,1 千欧,4.5V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:D2PAK
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