制造商零件编号：STGB19NC60KDT4

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 35A 125W D2PAK

系列：PowerMESH?

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35A

Current - Collector Pulsed (Icm)：75A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.75V @ 15V，12A

功率 - 最大值：125W

Switching Energy：165μJ （开）， 255μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：55nC

25°C 时 Td（开/关）值：30ns/105ns

Test Condition：480V, 12A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：31ns

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

我们提供ST(ST意法半导体)全系列IC，包含ST意法半导体官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解STGB19NC60KDT4。