技术资料
制造商零件编号:STFI260N6F6
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
系列:DeepGATE, STripFET VI
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):183nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11400pF @ 25V
功率 - 最大值:41.7W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3 整包, I2Pak
供应商器件封装:I2PAKFP (281)
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