制造商零件编号：STFI20N65M5

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP

系列：MDmesh V

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：45nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1345pF @ 100V

功率 - 最大值：30W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3 整包， I2Pak

供应商器件封装：I2PAKFP （281）

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