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技术资料
制造商零件编号:STD1NK80Z-1
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
系列:SuperMESH?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):16 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):160pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商器件封装:I-Pak
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