制造商零件编号：STD120N4F6

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：65nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3850pF @ 25V

功率 - 最大值：110W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：D-Pak

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