技术资料
制造商零件编号:STC6NF30V
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP
系列:STripFET? II
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):25 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):800pF @ 25V
功率 - 最大值:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装:8-TSSOP
我们提供ST(ST意法半导体)全系列IC,包含ST意法半导体官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解STC6NF30V。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015