制造商零件编号：STB150N3LH6

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N CH 30V 80A D2PAK

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3800pF @ 25V

功率 - 最大值：110W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：TO-263（D2Pak）

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