技术资料
制造商零件编号:IRF740
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220
系列:PowerMESH II
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):400V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):550 毫欧 @ 5.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1400pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
我们提供ST(ST意法半导体)全系列IC,包含ST意法半导体官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解IRF740。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015