韩国三星电子在西安高新区一期投资70亿美元的三星（中国）半导体有限公司竣工，开始生产最先进的10纳米级V-NAND闪存芯片。三星研发的V-NAND闪存芯片将现有“平面构造”的半导体芯片改造为“3D垂直堆叠型结构”芯片，产品性能和容量都将得到提高。三星电子在西安同时建设的封装测试工厂有望于2014年末完成，构筑一条完整的半导体生产链