制造商零件编号：VT6M1T2CR

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7.1pF @ 10V

功率 - 最大值：120mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-SMD，扁平引线

供应商器件封装：VMT6

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