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VT6M1T2CR-ROHM
  • 制造商:ROHM(罗姆)
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
  • 封装:VMT6
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:VT6M1T2CR

    制造商:Rohm Semiconductor

    描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

    系列:-

    FET 类型:N 和 P 沟道

    FET 功能:逻辑电平栅极,1.2V 驱动

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100mA

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 100μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7.1pF @ 10V

    功率 - 最大值:120mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:6-SMD,扁平引线

    供应商器件封装:VMT6

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