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技术资料
制造商零件编号:UM6K31NTN
制造商:Rohm Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 60V 250MA UMT6
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):250mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.4 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):15pF @ 25V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
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