制造商零件编号：SP8M4FU6TB

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A，7A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1190pF @ 10V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

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