技术资料
制造商零件编号:SP8J3FU6TB
制造商:Rohm Semiconductor
描述:MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOIC
系列:-
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):490pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC N
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