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技术资料
制造商零件编号:SCT2120AFC
制造商:Rohm Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
系列:-
FET 类型:SiCFET N 通道,碳化硅
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):29A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):156 毫欧 @ 10A, 18V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 3.3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):61nC @ 18V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1200pF @ 500V
功率 - 最大值:165W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
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