制造商零件编号：RW1E025RPT2CR

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.2nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：480pF @ 10V

功率 - 最大值：700mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-SMD，扁平引线

供应商器件封装：6-WEMT

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