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RW1E014SNT2R-ROHM
  • 制造商:ROHM(罗姆)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
  • 封装:6-WEMT
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:RW1E014SNT2R

    制造商:Rohm Semiconductor

    描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.4A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):240 毫欧 @ 1.4A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.4nC @ 5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):70pF @ 10V

    功率 - 最大值:700mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:6-SMD,扁平引线

    供应商器件封装:6-WEMT

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