技术资料
制造商零件编号:RUC002N05T116
制造商:Rohm Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,1.2V 驱动
漏源极电压 (Vdss):50V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):200mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):25pF @ 10V
功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SST3
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