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RT1C060UNTR-ROHM
  • 制造商:ROHM(罗姆)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
  • 封装:8-TSST
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:RT1C060UNTR

    制造商:Rohm Semiconductor

    描述:MOSFET N-CH 20V 6A TSST8

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):28 毫欧 @ 6A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):870pF @ 10V

    功率 - 最大值:650mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-SMD,扁平引线

    供应商器件封装:8-TSST

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