制造商零件编号：RT1A060APTR

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 12V 6A TSST8

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 6A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7800pF @ 6V

功率 - 最大值：550mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：8-TSST

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