制造商零件编号：RS1G300GNTB

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.5 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：56.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4230pF @ 20V

功率 - 最大值：3W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：8-HSOP

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