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RQ3E180BNTB-ROHM
  • 制造商:ROHM(罗姆)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
  • 封装:原厂封装
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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  • 帮您全面了解RQ3E180BNTB官方指导价、参数、批号、封装、技术资料
    技术资料

    制造商零件编号:RQ3E180BNTB

    制造商:Rohm Semiconductor

    描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT

    系列:*

    FET 类型:-

    FET 功能:-

    漏源极电压 (Vdss):-

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-

    功率 - 最大值:-

    安装类型:-

    封装/外壳:-

    供应商器件封装:-

    我们提供ROHM(罗姆)全系列IC,包含罗姆官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解RQ3E180BNTB。

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