技术资料
制造商零件编号:RGTH80TS65DGC11
制造商:Rohm Semiconductor
描述:IGBT 650V 70A 234W TO-247N
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A
Current - Collector Pulsed (Icm):160A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.1V @ 15V,40A
功率 - 最大值:234W
Switching Energy:-
输入类型:标准
Gate Charge:79nC
25°C 时 Td(开/关)值:34ns/120ns
Test Condition:400V, 40A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):58ns
封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247N
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