制造商零件编号：RGTH00TS65DGC11

制造商：Rohm Semiconductor

描述：IGBT 650V 85A 277W TO-247N

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：85A

Current - Collector Pulsed (Icm)：200A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.1V @ 15V，50A

功率 - 最大值：277W

Switching Energy：-

输入类型：标准

Gate Charge：94nC

25°C 时 Td（开/关）值：39ns/143ns

Test Condition：400V, 50A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：54ns

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247N

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