制造商零件编号：RGT8BM65DTL

制造商：Rohm Semiconductor

描述：IGBT 650V 8A 62W TO-252

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A

Current - Collector Pulsed (Icm)：12A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.1V @ 15V，4A

功率 - 最大值：62W

Switching Energy：-

输入类型：标准

Gate Charge：13.5nC

25°C 时 Td（开/关）值：17ns/69ns

Test Condition：400V， 4A， 50欧姆， 15V

反向恢复时间 (trr)：40ns

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252

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