制造商零件编号：RGT30NS65DGTL

制造商：Rohm Semiconductor

描述：IGBT 650V 30A 133W TO-263S

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30A

Current - Collector Pulsed (Icm)：45A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.1V @ 15V，15A

功率 - 最大值：133W

Switching Energy：-

输入类型：标准

Gate Charge：32nC

25°C 时 Td（开/关）值：18ns/64ns

Test Condition：400V, 15A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：55ns

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LPDS（TO-263S）

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