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RF4C050APTR-ROHM
  • 制造商:ROHM(罗姆)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET P-CH .1A
  • 封装:6-HUML2020L8
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:RF4C050APTR

    制造商:Rohm Semiconductor

    描述:MOSFET P-CH .1A

    系列:-

    FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):26 毫欧 @ 5A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):55nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5500pF @ 10V

    功率 - 最大值:2W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘

    供应商器件封装:6-HUML2020L8 (2x2)

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