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RE1J002YNTCL-ROHM
  • 制造商:ROHM(罗姆)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
  • 封装:EMT3F
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:RE1J002YNTCL

    制造商:Rohm Semiconductor

    描述:MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平栅极,0.9V 驱动

    漏源极电压 (Vdss):50V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):200mA(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):26pF @ 10V

    功率 - 最大值:150mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:3-SMD,扁平引线

    供应商器件封装:EMT3F

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