制造商零件编号：RE1C001ZPTL

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 20V 0.1A EMT3

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.8 欧姆 @ 100mA， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：15pF @ 10V

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-SMD，扁平引线

供应商器件封装：EMT3F

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