技术资料
制造商零件编号:RE1C001ZPTL
制造商:Rohm Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A EMT3
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,1.2V 驱动
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.8 欧姆 @ 100mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):15pF @ 10V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-SMD,扁平引线
供应商器件封装:EMT3F
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