技术资料
制造商零件编号:RDN150N20FU6
制造商:Rohm Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):15A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):160 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1224pF @ 10V
功率 - 最大值:40W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220FN
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