制造商零件编号：R6018ANJTL

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：270 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：55nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2050pF @ 25V

功率 - 最大值：100W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-83

供应商器件封装：LPTS

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