制造商零件编号：QS8M13TCR

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A，5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：28 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.5nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：390pF @ 10V

功率 - 最大值：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：TSMT8

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