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QS6J1TR-ROHM
  • 制造商:ROHM(罗姆)
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
  • 封装:TSMT6
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:QS6J1TR

    制造商:Rohm Semiconductor

    描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6

    系列:-

    FET 类型:2 个 P 沟道(双)

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.5A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):215 毫欧 @ 1.5A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):270pF @ 10V

    功率 - 最大值:1.25W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

    供应商器件封装:TSMT6

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