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技术资料
制造商零件编号:HS8K11TB
制造商:Rohm Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A,11A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):17.9 毫欧 @ 7A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):500pF @ 15V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:HSML3030L10
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